SK hynix ha destacado que no solo su volumen de HBM de 2024 sino casi todo su volumen de 2025 se ha agotado a medida que la demanda de IA se dispara.
SK hynix tiene casi la totalidad de su volumen de HBM de 2025 agotado, el HBM3E de 12 Hola se está probando y listo para la producción en el tercer trimestre de 2024
Durante su reciente conferencia de prensa, SK hynix anunció planes para invertir en una nueva fábrica M15X en Cheongju y Yongin Semiconductor Cluster en Corea, junto con instalaciones de embalaje avanzadas en los EE. UU. (Indiana).
SK hynix reveló que la creciente demanda de IA ha agotado toda su capacidad de HBM para 2024 e incluso su volumen de 2025 se ha agotado casi por completo, lo que demuestra cuán grande es la necesidad de memoria rápida de HBM para los centros de datos actuales y de próxima generación. NVIDIA, como uno de los socios clave de SK hynix, está aprovechando sus soluciones de memoria HBM3 y HBM3e para su línea Hopper H200 y Blackwell AI GPU. La compañía espera comenzar pronto a probar la DRAM HBM3E de 12 Hi y que la producción comience en el próximo trimestre (tercer trimestre de 2024).
- La compañía pronostica una rápida expansión de la tecnología de inteligencia artificial a una gama más amplia de aplicaciones en dispositivos, como teléfonos inteligentes, PC y automóviles desde centros de datos.
- Se espera que la demanda de productos de memoria ultrarrápidos, de alta capacidad y de bajo consumo para aplicaciones de IA muestre un aumento explosivo.
- La empresa cuenta con las mejores tecnologías de la industria para diversos productos, incluidos HBM, DRAM de alta capacidad basada en TSV y eSSD de alto rendimiento.
- SK hynix está listo para ofrecer a los clientes las mejores soluciones de memoria personalizadas de la industria a través de una colaboración estratégica con socios comerciales globales
- En cuanto a la producción, HBM de 2024 ya se agotó, mientras que el volumen de 2025 casi se agotó.
- En cuanto a la tecnología de HBM, la empresa planea proporcionar muestras de HBM3E de 12 alturas con el mejor rendimiento de la industria en mayo, lo que permitirá el inicio de la producción en masa en el tercer trimestre.
- La empresa aspira a un crecimiento cualitativo a través de una mejor competitividad de costes, una mayor rentabilidad con un aumento de las ventas de productos de valor añadido.
- El plan es seguir mejorando la solidez financiera elevando el nivel de tenencia de efectivo a través de una respuesta de inversión flexible ante las circunstancias cambiantes de la demanda.
- La compañía se compromete a contribuir a la economía nacional, ayudando a promover la posición de Corea como potencia de memoria de IA al convertirse en un cliente confiable, la empresa estable que no se deja influenciar por las circunstancias comerciales en la era de la IA.
Además de HBM3E, SK hynix también produce en masa módulos DRAM con más de 256 GB de capacidad y ya ha comercializado la solución LPDDR5T más rápida del mundo para dispositivos móviles. De cara al futuro, SK hynix planea presentar varias soluciones de memoria de próxima generación, como HBM4, HBM4E, LPDDR6, SSD de 300 TB, soluciones de memoria agrupadas CXL y módulos PIM (procesamiento en memoria).
- En el espacio DRAM, la empresa produce en masa HBM3E y módulos con una capacidad ultraalta de más de 256 GB, al tiempo que comercializa el LPDDR5T más rápido del mundo.
- La empresa es uno de los principales proveedores de memoria AI también en el espacio NAND como único proveedor de SSD basado en QLC de más de 60 TB.
- Desarrollo de productos de próxima generación con rendimiento mejorado en marcha
- La empresa planea introducir memorias innovadoras como HBM4, HBM4E, LPDDR6, SSD de 300 TB, solución de memoria agrupada CXL y procesamiento en memoria.
- MR-MUF, propiedad de SK hynix, es una tecnología central para el embalaje de HBM
- Las opiniones de que MR-MUF enfrentará desafíos tecnológicos en un apilamiento más alto son incorrectas, como se ve en la exitosa producción en masa de SK hynix de HBM3 de 12 alturas con Tecnología avanzada MR-MUF
- MR-MUF reduce la presión del apilamiento de chips a un nivel del 6%, aumenta la productividad 4 veces al acortar el tiempo requerido para el proceso y mejora la disipación de calor en un 45% en comparación con la tecnología anterior.
- El MR-MUF avanzado presentado recientemente por SK hynix mejora la disipación de calor en un 10% mediante la adopción de un nuevo material protector, al tiempo que mantiene las ventajas existentes del MR-MUF.
- MR-MUF avanzado, que adopta una metodología de alta temperatura y baja presión conocida por su excelente control de deformación, una solución óptima para apilamiento alto y desarrollo de tecnología para realizar un apilamiento de 16 alturas en marcha.
- La empresa planea adoptar Advanced MR-MUF para la realización del HBM4 de 16 alturas, mientras revisa de forma preventiva la tecnología de unión híbrida
- Por otra parte, la compañía anunció el mes pasado un plan para construir instalaciones de embalaje avanzadas para memorias de IA en West Lafayette, Indiana.
- La producción en masa de productos de IA, como HBM de próxima generación de la fábrica de Indiana, comenzará en el segundo semestre de 2028
Para HBM, SK hynix aprovechará su tecnología MR-MUF para empaquetar la DRAM. Se utilizará una versión avanzada de la tecnología para producir en masa módulos de memoria HBM3 de 12 Hi, lo que aumentará la productividad 4 veces y mejorará la disipación de calor en un 45% en comparación con las tecnologías anteriores.
La misma tecnología de empaque allanará el camino para la memoria HBM de 16 Hi y la compañía también está revisando actualmente el uso de la tecnología Hybrid Bonding para sus módulos HBM4 de 16 Hi. Se espera que la producción en masa de la próxima generación de memorias HBM comience en la fábrica de Indiana para el segundo semestre de 2028. Se espera que los módulos HBM4 estándar comiencen la producción en masa en 2026 para el próximo capítulo de la IA.