SK hynix dijo el miércoles por la noche que había comenzado la producción en masa de sus dispositivos de memoria NAND «4D» (en realidad, una forma de 3D) de 238 capas que prometen habilitar SSD de alto rendimiento y alta capacidad. Los nuevos chips cuentan con una velocidad de transferencia de datos de 2400 MT/s y podrían usarse para impulsar la próxima generación de los mejores SSD, modelos de alta velocidad que contarán con interfaces PCIe 5.0 x4 y ofrecerán una velocidad de lectura/escritura secuencial de 12 GB/s y más alto.
Desde el punto de vista de un entusiasta de la PC de rendimiento, la ventaja clave del TLC NAND IC de 238 capas de SK hynix es su velocidad de interfaz de 2400 MT/s. Esto representa un aumento del 50 % con respecto a la generación anterior y es algo que se necesita para construir SSD con velocidades de lectura/escritura secuencial de 12 GB/s y más, ya que los dispositivos 3D NAND con una interfaz de 1600 MT/s no pueden habilitar velocidades de transferencia para saturar un PCIe. Interfaz Gen5 x4.
El primer dispositivo 3D NAND de 238 capas de SK hynix es un dispositivo 3D TLC de 512 Gb (64 GB) que tiene una eficiencia de fabricación un 34 % más alta que un dispositivo comparable fabricado en el nodo 3D NAND de 176 capas de la compañía, dijo la compañía. Suponiendo que los rendimientos del 238L TLC NAND IC sean altos, disminuirá significativamente (hasta en un 34 %) los costos de bit y, por lo tanto, aumentará la competitividad de costos del dispositivo. Además de ser más pequeños que los predecesores, se dice que los nuevos dispositivos reducen el consumo de energía durante las lecturas en un 21 %, lo que es un beneficio tanto para las PC móviles como para los teléfonos inteligentes.
Típico de SK hynix, el dispositivo NAND de 238 capas luce un diseño de flash de trampa de carga (CTF) y emplea el diseño de celdas periféricas (PUC) propiedad de la compañía, una característica que el fabricante etiqueta como ‘4D’ NAND. Este diseño particular permite una reducción en el tamaño de los dispositivos de memoria, lo que facilita una mayor reducción de costos para la NAND de SK Hynix.
SK hynix planea usar primero la nueva memoria de 238 capas para teléfonos inteligentes y luego expandir su uso a través de la cartera de otros productos.
«SK hynix ha desarrollado productos de solución para teléfonos inteligentes y SSD de clientes que se utilizan como dispositivos de almacenamiento de PC, adoptando la tecnología NAND de 238 capas y pasó a la producción en masa en mayo», se lee en un comunicado de la compañía. «Dado que la empresa aseguró una competitividad de clase mundial en precio, rendimiento y calidad tanto para NAND de 238 capas como para la NAND de 176 capas de la generación anterior, esperamos que estos productos impulsen una mejora de las ganancias en la segunda mitad del año».