SK Hynix anunció que su proceso de 5.ª generación de 10nm, 1bnm, completó la validación y impulsará las soluciones DDR5 y HBM3E de próxima generación.
El proceso SK Hynix 1bnm contará con altas velocidades de hasta 6,4 Gbps para DDR5 y hasta 8 Gbps para HBM3E
SK Hynix también ha confirmado que el nodo de próxima generación de 1bnm se utilizará para producir soluciones DDR5 y HBM3E (High-Bandwidth-Memory). La empresa dijo que la plataforma Xeon Scalable recibió la certificación Intel por admitir productos DDR5 integrados en el nodo de 1bnm. La evaluación exitosa de la memoria DDR5 de 1bnm ocurre cuando 1anm (nodo de 10nm de cuarta generación) ha logrado la preparación y también ha completado la certificación de Intel.
SK Hynix espera que el proceso de validación del producto DDR5 de 1bnm con Intel transcurra sin problemas luego de una validación exitosa de la compatibilidad de nuestro producto DDR5 de servidor de 1anm con los procesadores escalables Intel® Xeon® de cuarta generación.
En medio de las crecientes expectativas de que el mercado de la memoria comenzará a recuperarse a partir de la segunda mitad, creemos que nuestra tecnología DRAM líder en la industria, probada nuevamente a través de la producción en masa del proceso de 1bnm esta vez, nos ayudará a mejorar las ganancias de la segunda mitad.
Los productos DDR5 para la ejecución de prueba en los primeros días de desarrollo funcionaron a 4,8 Gbps, mientras que la velocidad máxima de DDR5 estipulada en los estándares JEDEC es de 8,8 Gbps.
-SK Hynix
Los productos DDR5 suministrados a Intel funcionarán a 6,4 Gbps (actualmente el más alto de la industria), un aumento del 33 % en la velocidad de procesamiento de datos con respecto a los productos de prueba de las primeras etapas del desarrollo de DDR5. Además, la memoria DDR5 de 1 bnm utilizará un 20 % menos de energía que el nodo de 1 anm debido a la adopción de un proceso de compuerta de metal K alto que introduce un material de alta constante dieléctrica que evita las fugas de corriente y mejora la capacitancia.
HBM3E (HBM3 Extended): HBM3E es el 5el producto de memoria de alto ancho de banda de última generación, que sucede a las generaciones anteriores HBM, HBM2, HBM2E y HBM3. SK hynix planea preparar muestras del producto HBM3E que funciona a una velocidad de procesamiento de datos de 8 Gbps para la segunda mitad y comenzar la producción en masa en 2024.
-SK Hynix
La empresa también ha declarado que la empresa adoptará el proceso de 1bnm para productos basados en LPDDR5T y HBM3E para la segunda mitad de 2024. SK Hynix planea preparar muestras de productos HBM3E que funcionan a una velocidad de procesamiento de datos de 8 Gbps y comenzar la producción en masa en 2024.