NEO Semiconductor, con sede en San José, ha lanzado 3D X-DRAM. Esta tecnología DRAM patentada tiene el ambicioso objetivo de «resolver el cuello de botella de capacidad de DRAM y reemplazar todo el mercado de DRAM 2D». De acuerdo con las hojas de ruta de la compañía, la aplicación de matrices de celdas DRAM tipo 3D NAND en DRAM proporcionará circuitos integrados de memoria de 1 TB para 2030.
Los circuitos integrados de 1 TB significarían el potencial para colocar 2 TB en un solo DIMM con relativa facilidad: los DIMM de doble cara con ocho chips por lado llegarían allí. También sería posible utilizar 4 TB con 32 circuitos integrados. Obviamente, eso es más para los servidores que cualquier cosa que los consumidores probablemente necesiten en los próximos diez años, y muchos todavía se las arreglan con 8 GB o 16 GB. Tenga en cuenta que las soluciones de memoria actuales superan los 128 GB por DIMM para las soluciones de servidor DDR4 registradas, utilizando 32 circuitos integrados de 32 Gb. Los DIMM registrados DDR5 disponibles actualmente ofrecen hasta 64 GB (32 circuitos integrados de 16 Gb), aunque se vislumbran módulos de mayor capacidad.
Nuevamente, eso es para DRAM, no para algún tipo de Flash NAND. Pero NEO Semiconductor ha desarrollado la tecnología 3D X-DRAM con al menos algo de inspiración en 3D NAND. Utiliza lo que se afirma que es «la primera matriz de celdas DRAM similar a 3D NAND del mundo» por su USP de aumento de capacidad. Sin embargo, existen diferencias clave, y NEO ya ha solicitado varias patentes para proteger su propiedad intelectual.
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NEO Semiconductor ofrece un vistazo de cómo funciona su nuevo 3D X-DRAM en su comunicado de prensa. Los nuevos circuitos integrados de memoria utilizarán una matriz de celdas DRAM similar a 3D NAND, pero también sabemos que la estructura se basa en la tecnología de celdas de cuerpo flotante sin condensador. La firma afirma que este cambio «simplifica los pasos del proceso y proporciona una solución de alta velocidad, alta densidad, bajo costo y alto rendimiento».
Un aspecto importante que contribuye a las posibilidades de éxito es que 3D X-DRAM se puede fabricar utilizando tecnología de fabricación de semiconductores contemporánea. Además, la empresa estima que «la tecnología 3D X-DRAM puede alcanzar una densidad de 128 Gb con 230 capas, que es ocho veces la densidad DRAM actual».
Para tener una perspectiva sobre las afirmaciones de densidad de NEO Semiconductor, los circuitos integrados DRAM DDR5 de mayor densidad actuales de Samsung tienen una capacidad de 16 Gb. Se espera que la firma de tecnología de Corea del Sur, un jugador importante tanto en NAND como en DRAM, lance circuitos integrados de 32 Gb de manera inminente. Combinado con el apilamiento de chips, eso debería habilitar módulos de memoria de 1 TB a fines de 2023 o principios de 2024. Eso es mucho antes del plazo de lanzamiento de NEO en 2030, y el apilamiento de chips para DRAM podría aumentar aún más.