Kirin 9000S se fabricó con un proceso anterior de 14 nm, dice un ejecutivo de una empresa de investigación; SMIC empleó técnicas para que funcione más cerca de una pieza de 7 nm


El Kirin 9000S, que se encontró por primera vez en el Mate 60 Pro de Huawei, ha provocado un debate en varias plataformas y al mismo tiempo ha irritado al gobierno de EE. UU. Informes anteriores afirmaban que SMIC, un fabricante de semiconductores con sede en China, aprovechó su tecnología de 7 nm para producir en masa el último SoC. Sin embargo, el director ejecutivo de una empresa de investigación cree que sólo se utilizaron técnicas especiales para lograr que el último chipset funcionara a la par de una pieza de 7 nm y que en realidad está fabricado con un proceso de 14 nm más antiguo e inferior.

Múltiples desmontajes y análisis no han mencionado nada acerca de que el Kirin 9000S sea un SoC de 14 nm

Los expertos de la industria elogiaron el Mate 60 Pro con Kirin 9000S porque Huawei pudo producir silicio en masa con las sanciones comerciales de Estados Unidos vigentes. Si bien varias empresas de investigación han llegado a la conclusión de que el silicio más reciente es una pieza de 7 nm producida por SMIC, el South China Morning Post conversó con el director ejecutivo de la empresa de investigación Fomalhaut Techno Solutions, Minatake Mitchell Kashio, por correo electrónico. Aparentemente, el Kirin 9000S no es un verdadero SoC de 7 nm sino uno de 14 nm.

“En una entrevista por correo electrónico, el director ejecutivo de la firma de investigación electrónica Fomalhaut Techno Solutions con sede en Tokio, Minatake Mitchell Kashio, dijo al Post que cree que la CPU Kirin 9000 se fabricó mediante el proceso de 14 nm de SMIC basándose en el desmontaje de su propio teléfono. Indicó que se agregaron algunas técnicas especiales para acercar el rendimiento del chip a un procesador de 7 nm”.

Varios benchmarks también muestran que el Kirin 9000S ha obtenido números similares a los que lograría un chip de 7 nm, y SMIC también está operando maquinaria DUV (ultravioleta profunda) que le permite fabricar chipsets en esta litografía. Desafortunadamente, dado que la empresa china no pudo adquirir maquinaria EUV avanzada de ASML, con sede en Holanda, debido a las sanciones estadounidenses vigentes, es posible que no sea posible superar el límite de 7 nm.

La fabricación de chips de 7 nm también sería una violación directa de las sanciones estadounidenses, ya que los controles de exportación pretenden mantener a China limitada a 14 nm y 10 años por detrás de la última tecnología. Con el Kirin 9000S, un informe afirma que China está ahora unos cuatro años por detrás de Estados Unidos, reduciendo sustancialmente la brecha tecnológica. Todavía falta evidencia de que el nuevo SoC haya sido fabricado en el proceso de 14 nm, por lo que tendremos que esperar a que haya más actualizaciones para proporcionar información concreta.

Fuente de noticias: South China Morning Post

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