SK hynix ha comenzado oficialmente la producción en volumen de memoria HBM3E y la enviará a clientes como NVIDIA a finales de este mes.
La memoria SK hynix HBM3E está en producción en volumen ahora y justo a tiempo para las GPU con IA Hopper H200 y Blackwell B200 de NVIDIA
La producción en volumen de memoria HBM3E por parte de SK hynix se produce casi 7 meses desde que la empresa anunció el desarrollo de la DRAM. En aquel entonces, SK hynix confirmó que NVIDIA y otros socios utilizarán su DRAM HBM3E para impulsar sus aceleradores de IA de próxima generación.
Presione soltar: SK hynix Inc anunció hoy que ha comenzado la producción en volumen de HBM3E, el producto de memoria de IA más nuevo con rendimiento ultraalto, que se suministrará a un cliente a finales de marzo. La empresa hizo público su éxito con el desarrollo del HBM3E hace apenas siete meses.
Como SK hynix es el primer proveedor de HBM3E, un producto con los chips DRAM de mejor rendimiento, amplía su éxito anterior con HBM3. La compañía espera que la producción en volumen exitosa de HBM3E, junto con su experiencia también como el primer proveedor de HBM3 de la industria, ayude a consolidar su liderazgo en el espacio de la memoria de IA.
Para construir un sistema de IA exitoso que procese una gran cantidad de datos rápidamente, un paquete de semiconductores debe estar compuesto de manera que numerosos procesadores y memorias de IA estén multiconectados. Las grandes empresas tecnológicas mundiales exigen cada vez más un mayor rendimiento de los semiconductores de IA y SK Hynix espera que su HBM3E sea la opción óptima que satisfaga esas crecientes expectativas.
El último producto es el mejor de la industria en todos los aspectos necesarios para la memoria de IA, incluido el control de velocidad y calor. Procesa hasta 1,18 TB de datos por segundo, lo que equivale a procesar más de 230 películas Full HD (5 GB cada una) en un segundo.
Como la memoria de IA funciona a una velocidad extremadamente alta, controlar el calor es otra cualificación clave requerida para las memorias de IA. El HBM3E de SK hynix también viene con una mejora del 10 % en el rendimiento de disipación de calor, en comparación con la generación anterior, tras la aplicación del proceso avanzado MR-MUF.
Sungsoo Ryu, director de negocios de HBM en SK hynix, dijo que la producción en masa de HBM3E ha completado la línea de productos de memoria de IA líderes en la industria de la compañía. «Con la historia de éxito del negocio de HBM y la sólida asociación con los clientes que ha construido durante años, SK hynix consolidará su posición como proveedor total de memorias de IA».