Micron Technology, anunció hoy que había comenzado la producción en masa del primer NAND de 232 capas del mundo, construido con innovaciones líderes en la industria para impulsar un rendimiento excepcional para las soluciones de almacenamiento. La nueva NAND de 232 capas produce una mayor capacidad y una mayor eficiencia energética en comparación con las eras anteriores de NAND para fomentar la mejor ayuda de su clase para los casos de uso de uso intensivo de datos notables desde el cliente hasta la nube. Cuenta con la mayor densidad de área de la industria.
Micron envía el primer NAND de 232 capas del mundo y amplía su liderazgo tecnológico
La NAND de 232 capas de Micron es un punto de inflexión para la innovación en almacenamiento como primera prueba de la capacidad de escalar 3D NAND a más de 200 capas en producción. Esta tecnología innovadora requirió una gran innovación, incluidas capacidades de proceso avanzadas para crear estructuras de alta relación de aspecto, avances de materiales novedosos y mejoras de diseño de vanguardia que se basan en nuestra tecnología NAND de 176 capas líder en el mercado.
— Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo de tecnología y productos, Micron
La tecnología de vanguardia ofrece un rendimiento inigualable
La tecnología NAND de 232 capas de Micron proporciona el almacenamiento de alto rendimiento necesario para sustentar las soluciones de vanguardia y los servicios en tiempo real necesarios en las aplicaciones automotrices y de centro de datos, así como experiencias receptivas e inmersivas en dispositivos móviles, electrónica de consumo y sistemas informáticos de consumo. .
Este nodo de tecnología permite la introducción de la velocidad de E/S más rápida de la industria, 2,4 gigabytes por segundo (GB/s), para satisfacer las demandas de baja latencia y alto rendimiento de las cargas de trabajo centradas en datos, como inteligencia artificial y aprendizaje automático, bases de datos no estructuradas. y análisis en tiempo real y computación en la nube. Esa velocidad representa el doble de las velocidades de transferencia de datos de la interfaz más rápida habilitada en el nodo de 176 capas de Micron. Micron NAND de 232 capas también ofrece hasta un 100 % más de ancho de banda de escritura y un 75 % más de ancho de banda de lectura por dado que la generación anterior. Estos beneficios se traducen en ganancias de rendimiento y eficiencia energética en SSD y soluciones NAND integradas.
La NAND de 232 capas de Micron también presenta la primera producción de TLC de seis planos del mundo. Tiene la mayor cantidad de planos por dado de cualquier flash TLC y ofrece capacidad de lectura autónoma en cada plano. La alta velocidad de E/S, la latencia de lectura y escritura y la arquitectura de seis planos ofrecen las mejores transferencias de datos de su clase en múltiples formatos. Esta estructura garantiza colisiones menos frecuentes entre los comandos de lectura y escritura e impulsa mejoras de QoS a nivel del sistema.
La NAND de 232 capas de Micron es la primera en producción que habilita NV-LPDDR4, una interfaz de bajo voltaje que ofrece más del 30 % de ahorro de transferencia por bit en comparación con las interfaces de E/S anteriores. Las soluciones NAND de 232 capas de la compañía ofrecen soporte ideal para aplicaciones móviles e implementaciones en el centro de datos y en el borde inteligente que debe compensar un mejor rendimiento con un menor consumo. La interfaz también es compatible con versiones anteriores para admitir sistemas y controladores heredados.
El factor de forma compacto de NAND de 232 capas ofrece a los clientes flexibilidad en sus diseños al tiempo que permite la mayor densidad de TLC por milímetro cuadrado jamás producida (a 14,6 Gb/mm²). La densidad de área es entre un treinta y cinco y un cien por ciento más alta que la de los productos TLC de la competencia en el mercado actual. Enviado en un nuevo paquete de 11,5 mm x 13,5 mm, el nuevo NAND de 232 capas presenta un tamaño de paquete un 28 % menor que las generaciones anteriores, lo que lo convierte en el NAND de alta densidad más pequeño disponible. Más densidad en un espacio más pequeño minimiza el espacio de la placa para un conjunto diverso de implementaciones.
NAND de próxima generación permite la innovación en todos los mercados
Micron ha sostenido el liderazgo tecnológico con avances sucesivos pioneros en el mercado en el recuento de capas NAND que permiten beneficios como una mayor duración de la batería y un almacenamiento más compacto para dispositivos móviles, un mejor rendimiento en la computación en la nube y un entrenamiento más rápido de los modelos de IA. Nuestra NAND de 232 capas es la nueva base y estándar para la innovación de almacenamiento de extremo a extremo que sustenta la transformación digital en todas las industrias.
— Sumit Sadana, director comercial de Micron
El desarrollo de NAND de 232 capas es el resultado del liderazgo de Micron en investigación, desarrollo y avances en tecnología de procesos. Las capacidades innovadoras de esta NAND permitirán a los clientes ofrecer soluciones más innovadoras en centros de datos, computadoras portátiles más delgadas y livianas, los dispositivos móviles más recientes y en todo el perímetro inteligente.
Disponibilidad
El NAND de 232 capas de Micron ahora está en producción en volumen en la fábrica de Singapur de la compañía. Inicialmente, se envía a los clientes en forma de componentes y a través de su línea de productos de consumo Crucial SSD. Seguirán anuncios adicionales de productos y disponibilidad.
Fuente de noticias: Micron