La era de Angstrom está a punto de comenzar y la hoja de ruta más reciente de Intel muestra que la compañía mantiene un «ritmo frenético» no solo para mantenerse en el camino, sino también para acelerar el cronograma de entrega. A medida que el silicio que se encoge lucha contra una avalancha de efectos cuánticos físicos, se vuelve cada vez más difícil encoger los nodos, y ahí es donde entra la era post-nanómetro. Un angstrom, que es solo un nanómetro dividido en 10 rebanadas, va a será el término de elección para los nodos de proceso por debajo de 2 nm (o 20 Angstroms) y serán los primeros procesos (probablemente 18A) en debutar con los dispositivos EUV de alta NA de ASML. Sin embargo, lo más interesante es que parece que Intel está realmente adelantado.
El proceso de 4nm de Intel está en riesgo de fabricación hoy, ¿Meteor Lake se lanzará en 2023?
Intel reveló otra hoja de ruta que compila información que ya existía en el dominio público y confirmó que su próximo proceso de 4 nm está listo para la fabricación. Vale la pena señalar que los procesos en los que la empresa menciona que los nodos están «listos para fabricar» corresponden a la línea de tiempo en la que esperan que el proceso esté en producción de riesgo. Esto significa que Intel 4 está en producción de riesgo hoy. Extrapolando hacia adelante, esto podría significar que [caution: educated speculation] El lago Meteoro es no retrasado como algunos informes habían indicado y se lanzará en algún momento en 2023, en lugar de 2024, tal como la compañía había planeado originalmente [/ educated speculation].
En cualquier caso, la empresa también ha revelado que está previsto que el proceso 18A (que debería basarse en la tecnología litográfica EUV de alta NA de ASML) entre en producción de riesgo para la segunda mitad de 2024. Sin embargo, el salto tecnológico más significativo en el futuro próximo será sucederá con 20A, que presentará RibbonFET y PowerVias al mismo tiempo. RibbonFET es una arquitectura de transistores de nanohoja o de compuerta que debería extender la vida útil de la Ley de Moore al igual que lo hicieron los FinFET. Esto se combinará con la entrega de energía trasera PowerVia, otra innovación tecnológica dirigida por Ann B Kelleher, Gerente General de Desarrollo de Tecnología de la compañía.
“La Ley de Moore se trata de aumentar la integración de funciones”, dice Kelleher. “Mientras miramos hacia los próximos 10 a 20 años, hay una tubería llena de innovación”
Cuando se le preguntó acerca de la próxima transición tecnológica a RibbonFET y PowerVias en el proceso 20A, y el riesgo potencial que implica considerar los pasos en falso de la empresa con el proceso de 10nm, Ann Kelleher dijo lo siguiente:
«No tienen que hacerse de una vez, pero vemos beneficios significativos al pasar a PowerVia para habilitar el [RibbonFET] tecnología… Eso ha estado funcionando con mucho éxito y nos ha permitido acelerar nuestro trabajo de desarrollo”, – Ann B Kelleher, Gerente General de Desarrollo de Tecnología, Intel. Fuente: IEEE
Entonces, considerando lo mal que Intel tropezó con la transición a 10nm, ¿qué tan confiables son estas hojas de ruta? Bueno, créalo o no, hay mucha evidencia que apunta al hecho de que Intel en realidad está adelantado en el cronograma hasta por 6 meses. Esto es algo que hemos cubierto antes y mientras que con 10nm, Intel siempre estaba retrasando sus lanzamientos, en realidad ha vuelto a traer el lanzamiento de 18A del desarrollo en 2025 a la fabricación lista (léase: producción de riesgo) en 2H 2024, que es bastante grande. acuerdo. Debería ser un gran alivio para los inversores que sufren de PTSD de 10 nm saber que no solo el proceso va por buen camino, sino que Intel parece estar adelantado.