Samsung allana el camino hacia las tarjetas de memoria de 1 TB con circuitos integrados DDR5 de 32 Gb


Samsung ha presentado el primer chip SDRAM DDR5 monolítico de la industria con 32 Gb (4 GB) de capacidad. El circuito integrado de memoria permitirá a la empresa simplificar enormemente la producción de módulos de memoria de alta capacidad y construir RDIMM de 1 TB para servidores sin precedentes.

El dispositivo de memoria de 32 Gb de Samsung está fabricado con la tecnología de fabricación de clase de 12 nm para DRAM de la compañía que permite una mayor densidad y optimiza el consumo de energía. En particular, la compañía dice que un módulo DDR5 de 128 GB basado en los nuevos circuitos integrados de 32 GB consume un 10% menos de energía que un módulo similar alimentado por dispositivos de 16 Gb.



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