Samsung ha discutido sus planes para ofrecer hasta Petabytes de capacidad en sus SSD con la futura tecnología 3D NAND, aunque pueden llegar después de una década.
Samsung Electronics busca escalar celdas de nivel penta para su tecnología 3D NAND en los próximos diez años
En la Cumbre del mercado de memoria flash de China de este año (CFMS2023), Samsung Electronics estuvo presente, junto con otras empresas destacadas de memoria flash, como Micron, Kioxa, Arm, Solidigm, Phison y más. Samsung Electronics discutió con la audiencia el tema de «Revolución de la memoria flash y hacia una nueva era». Esta discusión destacó la capacidad de la empresa de capacidades de memoria de alto nivel y las dificultades para alcanzar una capacidad tan alta con su memoria flash 3D NAND.
Kyungryun Kim, vicepresidente y gerente general del Grupo de planificación de productos NAND de Samsung Electronics, explicó que los tres niveles de tecnología (escala física, escala lógica y tecnología de paquetes) no solo están evolucionando sino que, en teoría, son capaces de alcanzar capacidades de un petabyte (PB), o 1.024 terabytes (TB). Sin embargo, la empresa no logrará ese objetivo hasta dentro de diez años según los estándares tecnológicos actuales. Además, la compañía busca utilizar tecnología de celdas de nivel cuádruple para más dispositivos de memoria y se enfoca en hacer que la tecnología sea más hábil.
Mientras discutía las vías evolutivas para alcanzar capacidades de nivel penta, la compañía también mostró la unidad de estado sólido (SSD) PCIe 5.0 de la serie PM1743. La nueva serie PM1743 es hasta un cuarenta por ciento más eficiente energéticamente que los modelos anteriores y se ha probado que es compatible con las plataformas Intel y AMD PCIe Gen 5.
Samsung siempre ha estado algo callado al hablar de sus avances tecnológicos, especialmente de la memoria 3D NAND. La compañía continúa buscando formas de llevar al público dispositivos 3D NAND de celdas de nivel cuádruple con una tasa de adopción más amplia. Samsung siente que centrarse en la tecnología de controladores más nueva alcanzará esos objetivos. Actualmente, la empresa escala físicamente los dispositivos 3D NAND. Sin embargo, la empresa necesitaría investigar la escala lógica para tener acceso a dispositivos de memoria por encima de mil capas. El escalado lógico permitiría aumentar la cantidad de bits de información almacenados dentro de cada celda.
Si bien la empresa se ha mantenido callada sobre su tecnología, su rival Kioxia ha sido más transparente sobre sus desarrollos. La compañía introdujo la memoria 3D NAND de celda de nivel penta en 2019, que podía almacenar hasta cinco bits por celda (5 bpc). Dos años más tarde, Kioxia superó la tecnología de 5 bpc para llegar a 6 bpc. La compañía declaró que también estaban investigando para ver si podían avanzar hasta 8 bpc, creando un dispositivo de memoria 3D NAND de celda de nivel octa. Actualmente, la compañía aún no ha llegado a tales extremos.
El almacenamiento de múltiples bits por celda presenta muchos desafíos para muchos fabricantes de 3D NAND. Identificar materiales capaces de almacenar varios estados de voltaje y, al mismo tiempo, poder diferenciarlos para evitar interferencias es uno de esos obstáculos que todas las empresas luchan actualmente por superar. Además, necesitan desarrollar técnicas de corrección de errores para mantener la integridad de los datos a medida que aumenta el número de bits por celda.
Fuentes de noticias: A & S Mag, CFMS 2023