Samsung Electronics planea ingresar al nuevo segmento 3D DRAM, mostrando las últimas tecnologías que permitirán que los mercados avancen hacia el futuro.
Samsung se convierte en la primera empresa en entrar en la era de la DRAM 3D y planea presentar soluciones en esta década
Ha habido cierta tranquilidad en la industria DRAM durante los últimos trimestres y, aparentemente, las empresas estaban ocupadas combatiendo la estricta situación financiera en la que se encontraban en medio de altos niveles de inventario y baja demanda de los consumidores.
Ahora que la situación ha mejorado, la atención finalmente se ha desplazado a la I+D de próxima generación, y esta vez, Samsung ha creado su propia implementación de DRAM 3D, que se espera que entre en vigor el próximo año.
Según las diapositivas de la presentación que aparecen, la industria DRAM se está moviendo hacia líneas de compresión de menos de 10 nm. Para romper el estancamiento presente en la innovación de las tecnologías DRAM modernas, Samsung planea introducir dos nuevos métodos, llamados Transistores de canal vertical y DRAM apilada, y ambos implican diferencias en el posicionamiento de los componentes, lo que en última instancia reduce la ocupación del área del dispositivo y, a su vez, garantiza mayor rendimiento.
De manera similar, para aumentar las capacidades de memoria, Samsung planea utilizar el concepto de DRAM apilada, que permite a la empresa lograr una mayor relación de almacenamiento-área, aumentando así las capacidades del chip a potencialmente 100 GB en el futuro. Dicho esto, se predice que los mercados de DRAM 3D podrían crecer hasta $ 100 mil millones para 2028 y, por lo que parece, Samsung es relativamente temprano en sus desarrollos, lo que podría significar que el gigante coreano lidera la industria de DRAM hacia el futuro. , pero por ahora es pronto para decirlo.