Samsung ha divulgado algunas actualizaciones sobre sus productos de memoria de próxima generación, incluida la memoria GDDR7, en su Memory Tech Day anual en San José. Además de GDDR7, Samsung anunció su memoria Shinebolt HBM3E, que se está desarrollando para las próximas GPU de computación e inteligencia artificial.
La memoria GDDR7 lleva un tiempo en desarrollo. Está previsto que aparezca en las tarjetas gráficas Blackwell RTX serie 50 y RDNA 4 RX 8000 de próxima generación. Samsung no reveló demasiados detalles, pero una de las pequeñas pepitas más interesantes fue la revelación de un objetivo de un 50% menos de energía en espera. Eso ayudará a reducir el consumo general de energía en inactividad y, con suerte, también lo reducirá para configuraciones de múltiples monitores y reproducción de video.
La memoria GDDR7 está configurada para funcionar a 1,2 V en comparación con el voltaje de funcionamiento de 1,35 V de GDDR6 y GDDR6X. Suponiendo que veamos altas velocidades de hasta 32 Gbps como se predijo, es posible un ancho de banda total de 1 TB/s en un bus de 256 bits. En el caso de un bus de 384 bits, ese ancho de banda aumentaría otro 50%.
Samsung reveló anteriormente que su memoria GDDR7 utilizará señalización PAM3 (modulación de amplitud de pulso) en lugar de la PAM4 de GDDR6X. Si bien PAM4 se adapta mejor a frecuencias más altas, PAM3 es más fácil de implementar, lo que la convierte en una mejor opción para tarjetas gráficas de consumo asequibles. Eso explica en parte por qué nunca hemos visto tarjetas GDDR6X asequibles, aunque una memoria más rápida sería beneficiosa si se consideran los buses de memoria relativamente delgados de las GPU de gama media de la generación actual.
PAM3 ofrece tasas promedio de error de bits más bajas, pero dado el mayor rendimiento inherente que ofrece GDDR7, PAM4 se considera la opción preferible por ahora. Por supuesto, eso deja la puerta abierta a un futuro estándar GDDR7X. ¿Es eso algo que Micron podría tener bajo la manga? Tendremos que esperar y ver. Un hipotético RTX 5090 Ti con un bus de 512 bits y GDDR7X daría como resultado un ancho de banda nominal superior a 2 TB/s. Esto suena realmente delicioso, aunque el precio de una tarjeta así sería excesivo, por decirlo suavemente.
Teniendo en cuenta dónde nos encontramos en el ciclo de lanzamiento actual, las tarjetas equipadas con GDDR7 seguramente tardarán un año en el mejor de los casos. Esperaría que estuviera restringido a tarjetas de alta gama. Es muy probable que las tarjetas de nivel básico de próxima generación se queden con GDDR6, al menos hasta que la fabricación realmente aumente y sea lo suficientemente rentable como para considerarla.
Samsung también habló sobre su memoria HBM3E de próxima generación. Si bien nos encantaría que la memoria HBM3E se incluyera en las tarjetas gráficas para juegos, su costo y complejidad lo descartan. Samsung dice que su memoria Shinebolt puede alcanzar hasta 9,8 Gb/s por pin, lo que le daría a una sola pila HBM3E 1,225 GB/s de ancho de banda. Eso es mucho más alto que los 819 Gb/s que ofrece HBM3.
Si agrega varias pilas, esos números se disparan. Según cifras obtenidas de nuestro sitio hermano Anandtech, una GPU insignia podría contener teóricamente 216 GB de memoria con un sorprendente ancho de banda de 7,35 TB/s. En comparación, un RTX 4090 de referencia ofrece unos 1.008 GB/s apenas lentos.
Samsung aún no ha dicho si está produciendo GDDR7 en masa, lo cual no es sorprendente dado que falta al menos un año antes de que se lancen las tarjetas GDDR7. Pero es bueno ver que se habla libremente de ello en esta etapa, lo que apunta hacia un estándar maduro que fácilmente podrá llegar al mercado en volumen cuando lleguen las tarjetas de próxima generación.