Samsung ha presentado la primera solución DRAM DDR5 de 32 Gb del mundo basada en tecnología de proceso de 12 nm que permite módulos de memoria de hasta 128 GB.
Samsung hace posible tener módulos de memoria DDR5 de hasta 128 GB con 32 Gb de DRAM, basados en un proceso de 12 nm
Hasta ahora, los fabricantes de memoria como SK hynix y Micron ofrecen hasta 24 Gb DDR5 DRAM, lo que permite una solución de memoria de hasta 96 GB, pero Samsung lo lleva a un nivel superior con una solución de 32 Gb un 33,3% más densa basada en el nodo de 12 nm. Mientras tanto, Micron también ha confirmado 32 Gb DDR5 DRAM, pero hasta ahora solo lo ha anunciado a través de su hoja de ruta.
Presione soltar: Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha desarrollado la primera y más alta capacidad DRAM DDR5 de 32 gigabits (Gb) de la industria utilizando tecnología de proceso de clase de 12 nanómetros (nm). Este logro se produce después de que Samsung comenzara la producción en masa de su DRAM DDR5 de 16 Gb de clase 12 nm en mayo de 2023. Consolida el liderazgo de Samsung en la tecnología DRAM de próxima generación y señala el próximo capítulo de la memoria de alta capacidad.
“Con nuestra DRAM de 32 Gb de clase 12 nm, hemos asegurado una solución que habilitará módulos DRAM de hasta 1 terabyte (TB), lo que nos permitirá estar en una posición ideal para satisfacer la creciente necesidad de DRAM de alta capacidad en la era de la IA. (Inteligencia artificial) y big data”, dijo SangJoon Hwang, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics. «Continuaremos desarrollando soluciones DRAM a través de tecnologías de diseño y procesos diferenciados para romper los límites de la tecnología de memoria».
Un aumento de 500.000 veces en la capacidad de DRAM desde 1983
Después de haber desarrollado su primera DRAM de 64 kilobits (Kb) en 1983, Samsung ha logrado mejorar su capacidad de DRAM en un factor de 500.000 en los últimos 40 años.
El producto de memoria más nuevo de Samsung, desarrollado utilizando procesos y tecnologías de vanguardia para aumentar la densidad de integración y la optimización del diseño, cuenta con la mayor capacidad de la industria para un solo chip DRAM y ofrece el doble de capacidad de 16 Gb DDR5 DRAM en el mismo tamaño de paquete.
Anteriormente, los módulos DRAM DDR5 de 128 GB fabricados con DRAM de 16 Gb requerían el proceso Through Silicon Via (TSV). Sin embargo, al utilizar la DRAM de 32 Gb de Samsung, el módulo de 128 GB ahora se puede producir sin utilizar el proceso TSV, al tiempo que se reduce el consumo de energía en aproximadamente un 10 % en comparación con los módulos de 128 GB con DRAM de 16 Gb. Este avance tecnológico convierte al producto en la solución óptima para empresas que enfatizan la eficiencia energética, como los centros de datos.
Con su DRAM DDR5 de 32 Gb de clase 12 nm como base, Samsung planea continuar expandiendo su línea de DRAM de alta capacidad para satisfacer las demandas actuales y futuras de la industria informática y de TI. Samsung reafirmará su liderazgo en el mercado de DRAM de próxima generación al suministrar DRAM de 32 Gb de clase 12 nm a centros de datos, así como a clientes que requieren aplicaciones como IA e informática de próxima generación. El producto también desempeñará un papel importante en la colaboración continua de Samsung con otros actores clave de la industria.
La producción en masa de la nueva DRAM DDR5 de 32 Gb y 12 nm está programada para comenzar a finales de este año.