Se afirma que la memoria 3D de BBCube ofrece 4 veces el ancho de banda de HBM2E


Investigadores del Instituto de Tecnología de Tokio han esbozado su nueva memoria 3D híbrida BBCube. BBCube 3D es la abreviatura de ‘Bumpless Build Cube 3D’. Se afirma que este nuevo tipo de memoria podría allanar el camino hacia una computación más rápida y eficiente al mejorar el ancho de banda entre las unidades de procesamiento (o PU, como GPU y CPU) y los chips de memoria. Las afirmaciones específicas de la tecnología son que ofrece 30 veces el ancho de banda de DDR5 o 4 veces el ancho de banda de HBM2E. Es importante destacar que también ofrece eficiencias impresionantes al reducir la energía de acceso de bits a una vigésima parte de la memoria DDR5 y una quinta parte de la utilizada con HBM2E.

La arquitectura apilada de BBCube 3D «ha logrado el rendimiento más alto posible en todo el mundo», se jacta el blog oficial de noticias de Tokyo Tech. Antes de explicar cómo se diseña la memoria 3D de BBCube, los investigadores describen el problema al que se enfrentan los diseñadores que utilizan la tecnología de memoria actualmente disponible, como DDR5 o HBM2E. Afirman que el mayor ancho de banda deseable actualmente se produce a expensas de uno o ambos buses más anchos y costosos, o aumentos de la velocidad de datos que consumen mucha energía.

(Crédito de la imagen: Instituto de Tecnología de Tokio)

Entonces, ¿cómo mejora BBCube 3D la integración entre las PU y la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM)? El diagrama anterior ofrece una descripción general básica del diseño 3D de BBCube. Puede ver que los Pus se sientan encima de sus cachés en la parte superior de las pilas de memoria. Todos estos están alojados en una base de interposición de silicio.

Se explica además que «la falta de los típicos microgolpes de soldadura y el uso de TSV en lugar de cables más largos contribuyen juntos a una baja capacitancia parásita y una baja resistencia». La estructura crea conexiones entre PU y DRAM en tres dimensiones, haciendo un uso extensivo de las vías de silicio (TSV) antes mencionadas.

Memoria 3D Build Cube sin problemas

(Crédito de la imagen: Instituto de Tecnología de Tokio)

El desempeño declarado por Tokyo Tech para BBCube 3D lo haría muy atractivo para los diseños informáticos gracias a una combinación convincente de rendimiento y uso reducido de energía. Se dice que otra cualidad deseable del diseño, derivada de la eficiencia energética, es la reducción de los «problemas de suministro de energía y gestión térmica», que pueden precipitarse con algunos diseños de semiconductores 3D.



Source link-41