SK hynix va más allá con la primera NAND TLC de 321 capas y 1 Tb del mundo


SK hynix acaba de presentar la tecnología NAND de capas más altas de la industria con un diseño de 321 capas en paquetes TLC de hasta 1 Tb.

SK hynix presenta 321-Layer TLC NAND, 1 Tb Flash Tech para llegar a la producción en masa en el primer semestre de 2025

Presione soltar: SK hynix Inc. exhibió hoy la muestra de la NAND 4D de 321 capas, haciendo público el progreso en su desarrollo de la primera NAND de la industria con más de 300 capas.

La compañía hizo una presentación sobre el progreso del desarrollo de su Flash NAND 4D TLC* 4D de 1 TB de 321 capas y mostró las muestras en la Flash Memory Summit (FMS) 2023** que se llevó a cabo del 8 al 10 de agosto en Santa Clara.

SK hynix es el primero en la industria en revelar el progreso en el desarrollo de una NAND con más de 300 capas en detalle. La compañía planea elevar el nivel de finalización del producto de 321 capas y comenzar la producción en masa en la primera mitad de 2025.

La compañía dijo que su competitividad tecnológica acumulada a partir del éxito del NAND de 238 capas más alto del mundo, que ya está en producción en masa, allanó el camino para un progreso sin problemas en el desarrollo del producto de 321 capas. “Con otro avance para abordar las limitaciones de apilamiento, SK hynix abrirá la era de NAND con más de 300 capas y liderará el mercado”.

El NAND TLC de 1 Tb de 321 capas viene con una mejora del 59 % en la productividad, en comparación con la generación anterior de 512 Gb de 238 capas, gracias al desarrollo tecnológico que permitió el apilamiento de más celdas y una mayor capacidad de almacenamiento en un solo chip, lo que significa que la aumentó la capacidad total que se puede producir en una sola oblea.

Desde la introducción de ChatGPT, que aceleró el crecimiento del mercado de IA generativa, la demanda de productos de memoria de alto rendimiento y alta capacidad que puedan procesar más datos a un ritmo más rápido está creciendo rápidamente.

En consecuencia, en el FMS, SK hynix también presentó soluciones NAND de próxima generación optimizadas para tal demanda de IA, incluido el SSD empresarial que adopta la interfaz PCIe Gen5 y UFS 4.0. La empresa espera que estos productos logren un rendimiento líder en la industria para satisfacer plenamente las necesidades de los clientes con un enfoque en el alto rendimiento.

SK hynix también anunció que comenzó el desarrollo de PCIe Gen6 y UFS 5.0 de próxima generación con la tecnología mejorada para el desarrollo de soluciones que adquirió a través de estos productos y expresó su compromiso de liderar la tendencia de la industria.

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