La potencia del paquete Snapdragon X Elite puede alcanzar casi 100 W, lo que la hace más del doble en comparación con el M3 Pro de Apple


Anteriormente se informó que el Snapdragon X Elite funcionaba con dos límites de potencia; 23W y 80W. Sin embargo, según los últimos hallazgos, el chipset ARM más nuevo de Qualcomm puede alcanzar casi 100W, y eso es solo para la CPU, lo que lo convierte en un consumidor de energía en comparación con su competencia más cercana, el M3 Pro de Apple. Sin embargo, hay varias variables a tener en cuenta antes de criticar el enorme consumo de energía del chipset, y hablaremos de esos detalles aquí.

La carga de la CPU M3 Pro de Apple puede alcanzar los 42W de potencia, ya que el proceso de 3 nm de TSMC ayuda a reducir drásticamente el consumo

El número de pieza ‘X1E84100’ pertenece al Snapdragon X Elite de gama alta que tiene un reloj base de 3,80 GHz, un reloj de refuerzo de 4,20 GHz y una GPU Adreno de 4,6 TFLOP. En comparación con los dos SKU restantes, estas mejoras darán como resultado un aumento en el consumo de energía. Según Android Authority, el 95 por ciento de todos los chips Snapdragon X Elite fabricados por Qualcomm podrían obtener una potencia de paquete de 98,50 W, mientras que el 50 por ciento de esas unidades podrían alcanzar un consumo máximo de energía más bajo de 82,33 W.

En cuanto a la segunda versión con el número de pieza ‘X1E80100’, la potencia de su paquete puede alcanzar los 52,92 W, mientras que el 50 por ciento de las unidades Snapdragon X Elite de Qualcomm podrían alcanzar un máximo de 43,40 W. Curiosamente, esta versión no difiere mucho de su contraparte de gama alta, ya que funciona con una velocidad de reloj base de 3,40 GHz y una velocidad de reloj de refuerzo de 4,00 GHz, pero las métricas de consumo de energía son drásticamente más bajas. Por el contrario, el umbral máximo del paquete de energía sigue siendo más del doble de la carga de la CPU del M3 Pro, que llega a 42W. Es evidente que los 3nm de TSMC han ayudado considerablemente a Apple en el ahorro energético.

Sin embargo, el M2 Pro, la generación anterior de silicio de la compañía producida en el proceso de 4 nm de TSMC, alcanza los 55 W. Es importante señalar que el Snapdragon X Elite también se fabrica con la tecnología de 4 nm antes mencionada. Incluso el Core Ultra 7 155H de Intel utiliza alrededor de 80W. Esta enorme disparidad en el consumo de energía entre las dos versiones de Snapdragon X Elite con solo una diferencia de velocidad de reloj de 400MHz se debe a que Qualcomm ha overclockeado agresivamente su versión de gama alta. Esto obligará al SoC a consumir una inmensa energía drásticamente hasta el punto de obtener rendimientos decrecientes.

Además, el Snapdragon X Elite apenas mantendría ese límite de potencia de 98,50 W funcionando de manera constante en varios portátiles, ya que el conjunto de chips se aceleraría casi de inmediato para reducir las temperaturas. En resumen, una solución más sensata para los socios de Qualcomm sería quedarse con la versión con el número de pieza ‘X1E80100’. Puede que funcione a una frecuencia más baja, pero la diferencia de rendimiento apenas se notará y disfrutará de temperaturas significativamente más bajas.

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