Los investigadores de Kioxia demuestran el flash NAND de celda de nivel hepta, casi duplicando la capacidad de QLC


Los investigadores de NAND en Kioxia han demostrado con éxito un concepto funcional de una nueva arquitectura de almacenamiento llamada flash NAND de celda de nivel Hepta. Este nuevo tipo de NAND puede albergar hasta 7 bits por celda, lo que le otorga casi el doble de capacidad de almacenamiento que la memoria flash QLC NAND. Si Kioxia puede estabilizar esta arquitectura de almacenamiento a temperatura ambiente, podría convertirse en el último sucesor de los discos duros giratorios en aplicaciones empresariales y de consumo.

Para crear flash NAND de nivel hepta, Kioxia está utilizando un nuevo diseño llamado nueva tecnología de proceso de silicio para aumentar la densidad celular, junto con el enfriamiento criogénico. La nueva tecnología de proceso de silicio reemplaza los materiales de polisilicio actuales con un silicio monocristalino que se utiliza en un canal dentro de un transistor de celda de memoria. Aparentemente, esto reduce la cantidad de ruido de lectura procedente de la memoria flash NAND hasta en dos tercios. En otras palabras, la nueva tecnología de procesamiento de silicio produce señales de lectura más claras para leer datos de la memoria flash NAND, lo suficiente como para aumentar la capacidad de la celda de bits a 7.

(Crédito de la imagen: Kioxia)

Kioxia dice que esta nueva arquitectura de almacenamiento también será significativamente más barata de producir, e incluso tiene una solución propuesta que incorpora flash de nivel hepta con enfriamiento criogénico. Eso sería más barato que los SSD actuales (enfriados por aire o enfriados pasivamente) en el mercado actual.



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