Samsung dice que ha reafirmado su liderazgo en DRAM al iniciar la producción en masa (se abre en una pestaña nueva) DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) a 12 nm. El gigante de la electrónica de Corea del Sur afirma que los circuitos integrados de memoria resultantes de este nuevo proceso reducen el consumo de energía en aproximadamente una cuarta parte en comparación con la generación anterior y mejorarán la productividad de las obleas hasta en una quinta parte. Además, estos chips de memoria de vanguardia contarán con una velocidad de pin máxima de 7,2 Gbps.
Al hablar sobre el hito de la fabricación, Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics, dijo que «Usando tecnología de proceso diferenciada, la DRAM DDR5 de clase 12nm de Samsung, líder en la industria, ofrece un rendimiento y una eficiencia energética sobresalientes». Sin embargo, los usuarios de PC tendrán que esperar el goteo, ya que el primer uso de estos circuitos integrados DDR5 de 12nm será en aplicaciones como centros de datos, inteligencia artificial y computación de próxima generación.
Samsung dice que el desarrollo de DRAM de clase 12nm fue posible gracias al «uso de un nuevo material de alta K». Con más detalle, explica que el material de la puerta del transistor utilizado en estos circuitos integrados tiene una capacitancia más alta, lo que hace que su estado sea más fácil de distinguir con precisión. Además, los esfuerzos de Samsung para reducir el voltaje operativo y reducir el ruido también ayudaron a ofrecer esta solución optimizada.
Estos todavía son circuitos integrados de 16 Gb, por lo que Samsung no ha avanzado más en su hoja de ruta de densidad con estos chips DRAM. En cambio, los beneficios anunciados se refieren a la eficiencia energética, las velocidades y la economía de obleas. Si quiere algunos números, Samsung especificó que los circuitos integrados DDR5 de 12 nm reducen el consumo de energía en un 23 % en comparación con la generación anterior y mejoran la productividad de las obleas hasta en un 20 %.
¿Esto significará módulos DDR5 más rápidos?
Ya mencionamos que los nuevos circuitos integrados DRAM ofrecen una velocidad de pin de 7,2 Gbps. Samsung dice que, en teoría, esto significa que una transferencia de DRAM a DRAM de dos películas UHD de 30 GB podría tener lugar en aproximadamente un segundo. Sin embargo, se olvida de resaltar que este es el mismo velocidad de pin como la promocionada para los circuitos integrados DRAM de 14nm de la generación anterior (se abre en una pestaña nueva). Esto no descarta el potencial de la DRAM DDR5 más nueva para quizás hacer un mejor overclocking; para esta información, tendremos que esperar y ver.
Samsung dice que ya ha confirmado que los nuevos circuitos integrados DDR5 de 16 Gb (12 nm) han pasado por pruebas de compatibilidad para su uso con sistemas AMD. También está trabajando en estrecha colaboración con otras empresas no identificadas.