Samsung Electronics está preparado para ofrecer 1 TB de memoria DDR5 en un solo módulo gracias a un gran avance en la fabricación de DRAM.
La compañía surcoreana desarrolló la primera y más alta capacidad DRAM DDR5 de 32 gigabits (Gb) de la industria de la memoria, que utiliza tecnología de proceso de 12 nm.
Al hacerlo, Samsung podrá producir módulos de memoria DDR5 de 1 TB, pero hay otro beneficio de pasar a 32 Gb de DRAM. En comparación con la DRAM DDR5 de 16 Gb de clase 12 nm existente, hay una reducción del 10 % en el consumo de energía al comparar módulos de 128 GB.
Según SangJoon Hwang, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics, inicialmente los principales clientes de esta DRAM serán los centros de datos, la inteligencia artificial y el big data:
«Con nuestra DRAM de 32 Gb de clase 12 nm, hemos asegurado una solución que habilitará módulos DRAM de hasta 1 terabyte (TB), lo que nos permitirá estar en una posición ideal para satisfacer la creciente necesidad de DRAM de alta capacidad en la era de la IA. (Inteligencia artificial) y big data… Continuaremos desarrollando soluciones DRAM a través de procesos diferenciados y tecnologías de diseño para romper los límites de la tecnología de memoria».
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Samsung espera comenzar a producir en masa DRAM DDR5 de 32 Gb de clase 12 nm antes de finales de 2023.
Más memoria en menos espacio con menor consumo de energía siempre será popular entre los operadores de centros de datos. Sin embargo, esta tecnología de memoria debería eventualmente filtrarse a los módulos DDR5 que se encuentran en nuestras computadoras de escritorio y portátiles. En este momento, los kits de memoria de 192 GB que constan de cuatro módulos parecen ser la gama alta para los consumidores.
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