Samsung planea llevar la industria flash NAND a un nuevo nivel, ya que la empresa presenta sus soluciones V-NAND de novena y décima generación con hasta 430 capas.
Samsung está fabricando memoria flash NAND con hasta 430 capas como parte de su tecnología V-NAND de décima generación, que debutará el próximo año
Los mercados flash NAND se han estado recuperando rápidamente de su terrible estado económico durante los últimos trimestres consecutivos, gracias a la debilitada demanda de los consumidores y los altos niveles de inventario. Sin embargo, ahora que lo hemos analizado, parece que la capa de innovación ha entrado en acción, y no es otro que Samsung quien ha presentado un tipo NAND de gama relativamente alta llamado flash V-NAND de novena generación. Este tipo presenta la friolera de 290 capas apiladas unas sobre otras, estableciendo un nuevo punto de referencia para los mercados.
Los medios de comunicación coreanos informan que Samsung planea lanzar su estándar NAND de novena generación el próximo mes, que probablemente sucederá a la generación anterior, que presentaba 236 capas de apilamiento. Parece ser que la industria probablemente se vea arrastrada a la carrera del «apilamiento de capas» y, con diferencia, Samsung parece muy por delante de competidores como SK Hynix y Kioxia. Curiosamente, el gigante coreano también anunció un producto NAND con un impactante apilamiento de 430 capas (10.ª generación V-NAND) que se espera que se lance el próximo año.
Otro aspecto interesante del último proceso NAND de novena generación de Samsung es la técnica de «doble apilamiento», que se centra en comprimir más capas a través de múltiples orificios de canal. Esta técnica utiliza electricidad para conectar células individuales. La técnica de perforación no sólo garantiza una mayor eficiencia de interconexión, sino que este proceso es mucho más económico en comparación con los métodos de apilamiento tradicionales.
La utilización de productos NAND ha aumentado radicalmente en los últimos meses, principalmente debido al uso de productos involucrados en la inferencia de IA, ya que requieren toneladas de almacenamiento de alta velocidad. En última instancia, esto ha provocado que una enorme demanda avance hacia el futuro, lo que catalizará los desarrollos en este segmento para los productores de memorias flash NAND como Samsung.
Fuente de noticias: Hankyung