ULTRARAM es un nuevo tipo de «memoria universal» que puede superar la longevidad del almacenamiento flash de su SSD e igualar las velocidades de lectura/escritura de la memoria del sistema. Pero todo ello con una menor demanda de potencia. Este es una especie de santo grial de la memoria y podría ser un verdadero cambio de juego para la informática. No es de extrañar que haya ganado un premio en la Cumbre de Memoria Flash.
Sin embargo, tengo que decir que ULTRARAM se siente un poco en la nariz si me preguntas. Pero no me importa la marca porque la tecnología es potencialmente muy emocionante.
Efectivamente, es un tipo de memoria que teóricamente puede ser todo para todos los dispositivos. Pero, inevitablemente, también es bastante complicado en su composición, y en momentos como estos desearía ser mucho más inteligente de lo que soy. Deberían haber enviado… un ingeniero.
«Nuestra tecnología de memoria patentada utiliza un túnel resonante mecánico cuántico», se lee en el sitio de ULTRAM, «para proporcionar una combinación inigualable de velocidad, no volatilidad, resistencia y eficiencia energética».
El folleto (advertencia en PDF) de la tecnología continúa explicando que: «ULTRARAM es una memoria basada en carga que almacena datos moviendo electrones dentro o fuera de una llamada ‘puerta flotante’. El estado de carga de la puerta flotante es leer de forma no destructiva midiendo la conductancia de un «canal» subyacente. El componente final de la memoria es la barrera que actúa como un «bloqueo» para retener los electrones en la puerta flotante durante la retención de datos. La barrera se desbloquea para permitir que la carga fluir cuando la memoria está siendo escrita o borrada».
La tecnología proviene de Quinas Technology, una empresa derivada de la Universidad de Lancaster en el Reino Unido, donde ULTRARAM fue inventado por el profesor Manus Hayne del departamento de física de la universidad. Su aparición en Flash Memory Summit es su primer escaparate y parece que podría abrir un mundo completamente nuevo de dispositivos.
Por el momento, tiene DRAM (o memoria del sistema) y memoria flash. Los dos tienen propiedades muy diferentes y, por lo tanto, se usan para cosas casi completamente diferentes. La DRAM es súper rápida, con velocidades de lectura y escritura muchas veces más rápidas que la SSD más rápida, y se puede reescribir prácticamente tantas veces como quieras. Pero es una memoria volátil, por lo que necesita energía constante para mantener el almacenamiento de datos. Tan pronto como se va la energía, también lo hace toda la información, por lo que el modo de suspensión de su computadora portátil seguirá agotando la batería.
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Y ahí es donde entra en juego la memoria flash. Es mucho más barata, mucho más lenta, pero es persistente y retendrá los datos durante mucho tiempo una vez que se corte la energía. Aunque tiene una calificación de resistencia comparativamente baja, donde los chips flash se desgastarán con el tiempo y durante un número específico de ciclos.
ULTRARAM promete cumplir con ambas funciones, con un rendimiento al nivel de DRAM, mientras consume mucha menos energía. Y, según se informa, retendrá los datos durante 1.000 años.
Quinas Technology cita la aplicación de ULTRARAM como algo significativo para los centros de datos, donde una gran cantidad de la energía que requieren es absorbida por las necesidades de la memoria, ya sea manteniendo los datos vivos en la memoria activa o cambiándolos entre la memoria almacenada y la activa. En teoría, tener ULTRARAM en su centro de datos podría reducir significativamente las demandas de energía de este sector.
Pero también podría tener enormes ramificaciones en el espacio del consumidor. No habría más modo de suspensión, porque podría mantener la instantánea completa del estado de un sistema en ULTRARAM, incluso con la energía apagada, y volver a iniciarse en poco tiempo debido a su velocidad inherente. Sería como la hibernación de Windows sin ninguno de los inconvenientes de los tiempos de arranque lentos, y podrías volver a tu máquina en mil años y, en teoría, retomar exactamente donde lo dejaste de forma prácticamente instantánea.
Puedo imaginar que sería enorme para computadoras portátiles y PC portátiles para juegos.
Quizás significativamente, ULTRARAM no es un producto de silicio. El túnel resonante cuántico necesario en el que se basa se encuentra en semiconductores compuestos, como el antimoniuro de galio (GaSb), el arseniuro de indio (InAs) y el antimoniuro de aluminio (AlSb) que conforman el diseño actual de ULTRARAM.
La tecnología acaba de comenzar y no sabemos cuáles son los costos en relación con la producción de flash o DRAM. Por lo tanto, sus posibilidades de darle un mordisco al statu quo establecido dependerán de su potencial de mercado masivo. Pero seguro que es emocionante y podría tener un impacto real en todos nuestros dispositivos.