GDDR6W de Samsung duplica el rendimiento y la capacidad


Samsung ha presentado (se abre en una pestaña nueva) su nuevo tipo de memoria GDDR6 que duplica la capacidad del paquete DRAM y aumenta el ancho de la interfaz para duplicar su ancho de banda máximo. Los chips GDDR6W de Samsung usan empaque BGA tradicional y se pueden usar para aplicaciones convencionales como las mejores tarjetas gráficas.

Los chips GDDR6 y GDDR6X contemporáneos integran un dispositivo DRAM con una interfaz de 32 bits. Por el contrario, un chip GDDR6W incluye dos dispositivos DRAM y, por lo tanto, cuenta con dos interfaces de 32 bits, lo que duplica la capacidad (de 16 Gb a 32 Gb por chip) y el ancho de la interfaz (de 32 bits a 64 bits). Para hacerlo, los chips GDDR6W de Samsung utilizan la tecnología Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) de la compañía que reemplaza la placa de circuito impreso tradicional con una capa de redistribución (RDL) que es más delgada y tiene patrones de cableado significativamente más finos.

(Crédito de la imagen: Samsung)

Los dispositivos GDDR6W de Samsung generalmente usan los mismos protocolos que GDDR6 pero ofrecen mayor rendimiento y capacidad. Por ejemplo, un chip de memoria GDDR6W de 32 Gb podría ofrecer un ancho de banda máximo de 176 GBps, frente a los 88 GBps en el caso de un chip SGRAM GDDR6 normal. Mientras tanto, construir un chip de memoria de 32 Gb usando dos dispositivos de memoria de 16 Gb podría ser más económico que construir un dispositivo de memoria monolítica de 32 Gb.

El fabricante de memoria dice que el uso del empaque FOWLP permite reducir el grosor del empaque GDDR6W a 0,7 mm, frente a los 1,1 mm en el caso de los chips GDDR6 estándar, lo que facilita su enfriamiento. Si bien el sentido común dice que el empaque FOWLP es más costoso que el empaque BGA tradicional, no está claro qué tan significativamente el primero es más costoso que el segundo. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que la GDDR6W de Samsung debería ser más barata que la memoria de gran ancho de banda como HBM2E, tanto en términos de producción como de uso de la pila de memoria, ya que GDDR6W no requiere el uso de costosos intercaladores.

(Crédito de la imagen: Samsung)

Para poner en contexto las cifras de rendimiento anunciadas de GDDR6W, Samsung dice que un subsistema de memoria GDDR6W de 512 bits (que utiliza ocho chips) puede proporcionar un ancho de banda a nivel de sistema de hasta 1,40 GBps a una velocidad de transferencia de datos de 22 GTps. Por el contrario, un subsistema de memoria HBM2E de 4096 bits ofrece hasta 1,60 TBps a una tasa de transferencia de datos de 3,2 GTps pero a un precio considerablemente más alto.



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