Qualcomm y Samsung exploran opciones de fuente dual para futuros SoC Snapdragon 8; Nodos N3E y 3nm GAA Una posibilidad


El Snapdragon 8 Gen 2 de Qualcomm se basó en el proceso de 4nm de TSMC, pero es posible que la empresa adopte un propósito de doble fuente al asociarse con Samsung para futuros conjuntos de chips de gama alta. Un rumor afirma que los procesos N3E y GAA de 3 nm de última generación de TSMC y Samsung, respectivamente, pueden usarse para lograr este objetivo.

La marca ‘Snapdragon 8 para Galaxy’ podría conservarse para los SoC producidos en masa únicamente con la tecnología de fabricación de Samsung

Con Samsung anunciando el progreso de su tecnología GAA de 3nm durante sus últimas ganancias trimestrales, Revegnus informa que la producción de obleas de la compañía parece estar funcionando bien. El informante cree que esta es la razón por la cual Qualcomm y el gigante coreano están trabajando juntos para crear una variación de los conjuntos de chips Snapdragon 8 de gama alta. Por ejemplo, suponiendo que el plan se materialice a principios de 2024, el Snapdragon 8 Gen 4 regular se entregará en el proceso N3E de TSMC, que es una iteración mejorada de la arquitectura de 3 nm de la compañía.

La segunda versión se fabricará con el proceso GAA de 3nm de Samsung y probablemente se llamará ‘Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy’ y se reservará para la serie Galaxy S25. Se ha rumoreado anteriormente que Qualcomm cambiará a una opción de doble fuente ya que, desde una perspectiva comercial, es la opción más inteligente para ahorrar costos. Este año, según se informa, solo Apple está produciendo conjuntos de chips en masa en el proceso de 3nm de TSMC, lo que indica que el alto precio de la oblea desalentó a Qualcomm y MediaTek a realizar pedidos.

Sin embargo, esto no significa que el proceso N3E de TSMC será más económico, por lo que cambiar al nodo GAA de 3nm de Samsung será el camino correcto a seguir. Desafortunadamente, para este año, no parece que Qualcomm tenga planes para aprovechar la tecnología GAA de 3nm de próxima generación de Samsung. En cambio, se dice que el próximo Snapdragon 8 Gen 3 se producirá en masa en el proceso N4P de TSMC, lo que brindará una eficiencia energética ligeramente mejor a los futuros modelos Galaxy S24.

Los lanzamientos anteriores de Snapdragon 8 son una prueba de que la fundición de TSMC es superior en comparación con la de Samsung, por lo que no debería sorprender que este último esté acelerando el ritmo para asegurar negocios con sus antiguos clientes nuevamente.

Fuente de noticias: Revegnus

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