SK hynix ha anunciado la producción en masa de la NAND 4D de 238 capas más alta de la industria, que ofrece velocidades de transferencia hasta un 50 % más rápidas.
4D NAND entra en producción en masa mientras SK hynix prepara los dispositivos de 238 capas más altos de la industria para plataformas de última generación
Presione soltar: SK hynix Inc. (o «la empresa», www.skhynix.com) anunció hoy que ha comenzado la producción en masa de su memoria Flash 4D NAND de 238 capas, luego del desarrollo en agosto de 2022, y que una prueba de compatibilidad del producto con un El fabricante mundial de teléfonos inteligentes está en marcha.
“SK hynix ha desarrollado productos de solución para teléfonos inteligentes y SSD de clientes que se utilizan como dispositivos de almacenamiento de PC, adoptando la tecnología NAND de 238 capas y pasó a la producción en masa en mayo”, dijo la compañía. “Dado que la empresa aseguró una competitividad de clase mundial en precio, rendimiento y calidad tanto para NAND de 238 capas como para la NAND de 176 capas de la generación anterior, esperamos que estos productos impulsen una mejora de las ganancias en la segunda mitad del año”.
El producto de 238 capas, el NAND más pequeño en tamaño, tiene una eficiencia de fabricación un 34 % más alta en comparación con la generación anterior de 176 capas, lo que da como resultado una mejora significativa en la competitividad de costos.
Además, con una velocidad de transferencia de datos de 2,4 Gb por segundo, un aumento del 50 % con respecto a la generación anterior, y un aumento de aproximadamente el 20 % en la velocidad de lectura y escritura, la empresa confía en que podrá ofrecer un rendimiento mejorado a la clientes de teléfonos inteligentes y PC que utilizan esta tecnología.
Una vez que se complete la prueba de compatibilidad del producto con el fabricante mundial de teléfonos inteligentes, SK hynix comenzará a suministrar el producto NAND de 238 capas para teléfonos inteligentes y expandirá la tecnología a través de sus carteras de productos, como SSD PCIe 5.0 * y SSD de servidor de alta capacidad en el futuro.
*PCIe 5.0: PCIe (Peripheral Component Interconnect Express) es una interfaz de entrada/salida de alta velocidad estructurada en serie utilizada en las placas principales de dispositivos digitales, con PCIe 5.0 duplicando la velocidad de datos a 32 GT/s (Gigatransferencia por segundo) desde PCIe 4.0
“Seguiremos superando las limitaciones de la tecnología NAND y aumentando nuestra competitividad para que podamos lograr un cambio más grande que nadie durante el próximo repunte del mercado”, dijo Jumsoo Kim, director de S238 NAND en SK hynix.