Samsung dijo que su próxima tecnología de proceso SF1.4 (clase de 1,4 nm) aumentará la cantidad de nanohojas de tres a cuatro, dijo a The Elec Jeong Gi-Tae, vicepresidente de Samsung Foundry, informa DigiTimes. La medida promete traer importantes beneficios en cuanto a rendimiento y consumo de energía.
Samsung fue la primera empresa en introducir una tecnología de proceso que se basa en transistores de nanohojas de puerta integral (GAA) con su SF3E (también conocido como oído de puerta integral de clase de 3 nm, 3GAE) a mediados de 2022. La empresa utiliza la tecnología para fabricar varios chips, pero se cree que el uso del nodo se limita a chips pequeños, como los que se utilizan para la minería de criptomonedas. El año que viene Samsung planea presentar su tecnología SF3, que está preparada para ser utilizada en una gama más amplia de aplicaciones. En 2025, Samsung planea implementar su tecnología SF3P de rendimiento mejorado, diseñada teniendo en cuenta las CPU y GPU de los centros de datos.
También en 2025, Samsung espera presentar su proceso de fabricación SF2 (clase de 2 nm), que no solo dependerá de transistores GAA, sino que también contará con entrega de energía trasera, lo que brinda beneficios sustanciales en lo que respecta a la densidad del transistor y la entrega de energía.
Quizás la mayor revisión de los nodos de producción de Samsung después de la introducción del SF3E basado en GAA se producirá en 2027, cuando la tecnología SF1.4 de Samsung obtendrá una nanohoja adicional al aumentar el número de nanohojas de tres a cuatro.
Aumentar el número de nanohojas por transistor puede mejorar la corriente impulsora y mejorar el rendimiento. Más nanohojas permiten que fluya más corriente a través del transistor, mejorando sus capacidades de conmutación y velocidad operativa. Además, más nanohojas pueden conducir a un mejor control del flujo de corriente, lo que puede ayudar a reducir la corriente de fuga y, por tanto, reducir el consumo de energía. Además, un control mejorado sobre el flujo de corriente también significa que los transistores generan menos calor, lo que aumenta la eficiencia energética.
Tanto Intel como TSMC tienen la intención de comenzar a utilizar transistores GAA con sus tecnologías de proceso 20A y N2 (clase de 2 nm) previstas para 2024 y 2025, respectivamente. Para cuando estas empresas introduzcan sus nodos basados en nanoláminas, Samsung tendrá una experiencia significativa con transistores de puerta integral, lo que podría ser beneficioso para la fundición.