Samsung se está preparando para producir su memoria V-NAND de octava generación a gran escala, con 200 capas o más y brindando un mayor rendimiento y densidades de bits para SSD.
Samsung prepara la futura memoria V-NAND con 200 capas, ofreciendo altas capacidades y mayor rendimiento
En 2013, Samsung creó una memoria flash V-NAND de 24 capas, un avance significativo y algo futurista para los rivales de la compañía. Sin embargo, la compañía ahora es más cuidadosa debido a la fragilidad de crear una memoria flash NAND con cientos de capas para que sea estable para su uso. Desafortunadamente, Micron y SK Hynix han comenzado el desarrollo de dispositivos 3D TLC NAND de 232 y 238 capas, lo cual es una ventaja más significativa en los intentos de ambas compañías por superar a Samsung hasta ahora. Hoy, Samsung ha informado que creará una memoria 3D NAND, llamada V-NAND, que ofrecerá 236 capas, dice Business Korea.
Samsung reunió inicialmente los diseños de muestra de su próxima memoria V-NAND hace dos años en 2021. Aún así, la empresa no pudo incorporar y producir completamente la memoria 3D NAND debido a limitaciones tecnológicas que no estaban disponibles en la industria.
Para construir soluciones de almacenamiento de estado sólido para áreas de trabajo en constante crecimiento, PC de próxima generación con una interfaz PCIe Gen5 y teléfonos móviles que admitan puntos de interacción UFS 3.1 y 4.0, Samsung necesita dispositivos NAND con una interfaz de alta velocidad. El V7-NAND de Samsung actual ahora incluye velocidades de interfaz de hasta 2,0 GT/s.
Actualmente, se desconocen las especificaciones completas ya que la compañía no ha divulgado completamente la información de su tecnología al público. Sin embargo, los usuarios deben esperar que la 3D NAND (V-NAND) de octava generación de Samsung haya ampliado el tamaño del bloque del programa y disminuido los niveles de latencia de lectura, lo que mejora la visualización de los periféricos 3D NAND y los componentes informáticos de primera calidad.
Hacer que las capas NAND sean más nominales y minúsculas implica usar nuevos materiales para almacenar cargas de manera confiable. Además, dado que es complicado (y tal vez no plausible desde el punto de vista financiero) tallar muchas capas, los productores de 3D NAND deben adoptar estrategias como el apilamiento de cadenas para ensamblar 3D NAND con muchas capas. Samsung aún no ha adoptado el apilamiento de cadenas con su V7-NAND de 176 capas. Sin embargo, no está claro si Samsung utilizará la innovación para V8-NAND de 236 capas o intentará algo superior.
Fuentes de noticias: Tom’