Micron ha comenzado la producción del primer chip NAND de 232 capas en un volumen suficiente para alimentar a los socios de almacenamiento.
Es la primera vez que un fabricante de NAND descifra la capa 200, con el chip superior anterior, un modelo de 176 capas, presentado por última vez en noviembre de 2020, una mejora cercana al 32 % (o 56 capas adicionales) en menos de dos años. Otros puntos de referencia del conteo de capas incluyeron productos de 64, 96 y 128 capas.
El nuevo chip es físicamente más pequeño que la generación anterior y tiene la mayor densidad de área de cualquier componente de almacenamiento basado en silicio. Esto significa que la nueva tecnología fomentará el lanzamiento de productos aún más pequeños y habilitará productos de mayor capacidad, incluso en SSD y tarjetas microSD. Actualmente, el SSD más grande del mundo es de 3,5 pulgadas. Modelo de 100 TB de Nimbus Datauno que utiliza un chip MLC de 64 capas.
SSD de 200 TB en el horizonte
Hace dos años, durante una entrevista con TechRadar Proel CEO de Micron, Thomas Isakovich, sugirió que se podrían alcanzar capacidades mucho más altas (200 TB y 400 TB) para 2023 «dependiendo del momento en que aumente la densidad NAND».
Con el nuevo lanzamiento de Micron, puede que haya llegado el momento de otro salto de capacidad. Micron no confirmó qué tecnología de fabricación se usó para grabar el chip TLC, pero agregó que el chip tiene la mayor velocidad de E/S en todo el mercado con 2,4 GBps, que es un 50 % más rápido que la generación anterior.
Otra innovación presentada por Micron es el uso de la memoria NV-LPDDR4 que reduce significativamente la energía requerida para transferir bits, reduciéndola en casi un tercio, algo que ayudará a reducir el consumo de energía general de un sistema y podría mejorar la duración de la batería.
Micron también puede tener planes para lanzar planes QLC de alta densidad; esto puede ayudar a cerrar aún más la brecha del precio por capacidad con las unidades de disco duro, acercándolas aún más a la obsolescencia, al menos en el centro de datos.